非线性晶体
KD*P 电光Q开关

波前畸变:< λ / 8 @ 633nm

平面度:< λ / 8 @ 633nm

平行度:< 20 arc sec

垂直度:< 5 arc min

表面光洁度:< 10-5(Scratch-Dig)

消光比:>1000:1 

应用光谱范围:240-1400 mm


  • 产品描述
  • 产品特征
  • 产品曲线

KD*P 插入损耗低,无应力,电光效应性能好,并且转换效率高,是一种性能优异的电光材料,常应用于低重复频率的脉冲固体激光器中。通过采用含氘量大于98%的磷酸二氘钾晶体纵向效应制成电光Q开关,从检测指标优异的DKDP毛坯中选取消光比高,均匀性好的晶体区域,制成圆柱状器件,在侧面加电极,用于产生纵向电场,外壳采用封闭式设计,并通过防水实验。


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