波前畸变：< λ / 8 @ 633nm
平面度：< λ / 8 @ 633nm
平行度：< 20 arc sec
垂直度：< 5 arc min
表面光洁度：< 10-5(Scratch-Dig)
消光比：>1000:1
应用光谱范围：240-1400 mm
KD*P 插入损耗低，无应力，电光效应性能好，并且转换效率高，是一种性能优异的电光材料，常应用于低重复频率的脉冲固体激光器中。通过采用含氘量大于98%的磷酸二氘钾晶体纵向效应制成电光Q开关，从检测指标优异的DKDP毛坯中选取消光比高，均匀性好的晶体区域，制成圆柱状器件，在侧面加电极，用于产生纵向电场，外壳采用封闭式设计，并通过防水实验。
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